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        突破硅基局限,SiC MOSFET解鎖光伏微逆與工業(yè)電源新能效
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        新產(chǎn)品宣告

        產(chǎn)品介紹 揚(yáng)杰科技近日推出了杰冠微自產(chǎn)1200V 120mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品,包括TO-247AB、TO-247-4L以及TO-263-7L三種封裝。在追求極致能效與系統(tǒng)緊湊化的電力電子設(shè)計(jì)中,完美平衡了導(dǎo)通損耗與開關(guān)性能,專為替代傳統(tǒng)硅基超結(jié)MOSFET而生。
        產(chǎn)品特點(diǎn) 憑借SiC材料的物理特性,該器件擁有極低的寄生電容和極快的開關(guān)速度。其體二極管具備極低的反向恢復(fù)電荷(Qrr),能顯著降低開關(guān)損耗,使電源系統(tǒng)輕松實(shí)現(xiàn)高頻化設(shè)計(jì),大幅提升功率密度。
        支持高達(dá) 175°C 的結(jié)溫工作環(huán)境。相比同等規(guī)格的硅器件,它能大幅減少散熱器體積,甚至在部分低功率密度設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)無風(fēng)扇散熱,降低了系統(tǒng)整體成本。
        規(guī)格書

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